SK 海力士拟推最高 60 万亿韩元股东回报方案
SK 海力士准备公布规模 50 万亿至 60 万亿韩元的新股东回报方案,叠加已完成 40 万亿韩元回购注销,今年合计回报将达创纪录的 100 万亿韩元。受益于 AI 存储芯片行情,公司业绩有望历史性高增,方案将于 28 日经董事会决议并随三季报披露。
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SK 海力士准备公布规模 50 万亿至 60 万亿韩元的新股东回报方案,叠加已完成 40 万亿韩元回购注销,今年合计回报将达创纪录的 100 万亿韩元。受益于 AI 存储芯片行情,公司业绩有望历史性高增,方案将于 28 日经董事会决议并随三季报披露。
SK海力士正推动新一代iHBM(集成高带宽内存)技术迈向量产,已开始讨论量产计划。iHBM在芯片间物理层中集成冷却元件ICE,可降低高达30%的热阻,被视为解决AI算力激增下HBM散热瓶颈的重要路线。
IDC 数据显示,受 AI 行业争夺内存产能影响,内存芯片价格一年内暴涨 350%,导致 9 月季度智能手机出货量下滑 22%,创历史最差纪录。三星、SK 海力士、美光将产能转向利润更高的 HBM,小米、Oppo 等低价品牌受冲击最大,消费者最终承担涨价成本。
受 AI 内存需求爆发推动,三星第三季度利润同比大涨 783%,达约 800 亿美元,创下科技公司单季利润最高纪录。AI 芯片与高带宽内存需求成为其业绩核心驱动力。
三星预计 7–9 月营业利润达 107.4 万亿韩元(约 802 亿美元),创历史新高,同比增长逾 8 倍,销售额同比增 126.6%。业绩受 AI 企业大量采购存储芯片、芯片价格走高推动,连续第四个季度创新高。
TrendForce 集邦咨询最新研究显示,AI 服务器需求持续扩张,HBM 与常规 DRAM 竞逐有限的先进制程与晶圆产能,新一代产品良率与产出提升仍需时间,预估 2027 年存储器供应持续吃紧。供应商对 2027 年 HBM 涨价态度更明确,反映供应紧张、HBM4 高价占比提升及 HBM4e …
英伟达正考虑采用玻璃基板,并与德国设备制造商 SCHMID 等企业合作,以提升 AI 芯片性能。该战略旨在通过增加可封装的高带宽内存用量,大幅提升数据处理速度。
英伟达 CEO 黄仁勋表示,到2029年内存芯片行业不太可能出现过剩,并称内存的一大好处是“你总是可以用得更多”,HBM 未来数年仍将被广泛采用。此番表态出现在存储板块因产能过剩与需求放缓担忧遭集中抛售后。
三星在韩国平泽建设全球最大芯片制造综合体,目前三座晶圆厂全天候运转,第四座即将投产,第五座在2024年需求下滑停工后因AI热潮重启。该园区是三星夺回高带宽内存(HBM)市场领先地位、追赶SK海力士的关键布局。
SK海力士公布下一代内存技术路线图,旨在解决AI算力中的内存瓶颈问题。该路线图聚焦高带宽内存等方向,以应对大模型训练与推理对内存带宽和容量的持续增长需求。
SK 集团董事长崔泰源表示,SK 海力士计划尽快在韩国光州建设新的半导体产业集群,押注强劲需求增长,但未透露开工时间。公司已将龙仁半导体园区建设进度提前 12 年,必要时可能同时推进多个项目。
AMD CEO 苏姿丰计划于周三与三星电子半导体业务负责人全永铉会面,这是 AI 产业两位关键人物的最新面对面交流。会谈正值 AI 需求推高内存供应紧张之际,双方未披露具体细节,三星与 AMD 均拒绝置评。
美光科技财报发布前夕,D.A.戴维森分析师吉尔·卢里亚重申2000美元目标价,较最新收盘价高出约100%。他认为内存是AI大模型运行的关键,容量越大模型越好、推理越快、上下文窗口越长,而新增供给至少还需一年才能跟上需求。当前估值已在定价存储周期结束,但AI算力需求仍在增长。
迈克尔·伯里表示已增持美光、Nebius、iShares半导体ETF及Palantir的空头头寸,交易规模较大。他认为内存供应紧张部分源于厂商将产能转向AI所需的高带宽内存,随着普通RAM产能恢复,内存供应可能改善并压制价格。
美光科技宣布将于当地时间 10 月 21 日举办技术网络研讨会,由总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 主讲,讨论 DRAM、HBM 及 NAND 领域创新。美光称下一代 AI 基础设施需要更高带宽、容量与数据存取效率,将介绍多代技术路线图与长期研究布局。