SK海力士推进iHBM量产,散热能力提升30%
SK海力士正推动新一代iHBM(集成高带宽内存)技术迈向量产,已开始讨论量产计划。iHBM在芯片间物理层中集成冷却元件ICE,可降低高达30%的热阻,被视为解决AI算力激增下HBM散热瓶颈的重要路线。
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SK海力士正推动新一代iHBM(集成高带宽内存)技术迈向量产,已开始讨论量产计划。iHBM在芯片间物理层中集成冷却元件ICE,可降低高达30%的热阻,被视为解决AI算力激增下HBM散热瓶颈的重要路线。
长鑫科技公告预计 2026 年前三季度归母净利润为 1310 亿至 1325 亿元,同比扭亏为盈。业绩大幅改善主要受益于 AI 算力需求快速增长、全球 DRAM 行业景气度提升,产品供不应求、价格大幅上涨,公司产能利用率保持高位。
第 28 届韩国半导体展览会将于 10 月 14 日至 16 日举办,主题为「走进硅基智能时代」,300 家企业参展创历史新高。SK 海力士将发布下一代 HBM4E(第七代 HBM)与高带宽闪存 HBF 技术,并展出服务器、PC、移动端 DRAM、NAND 闪存与 SSD 等旗舰产品。Jusung…
三星预计 7–9 月营业利润达 107.4 万亿韩元(约 802 亿美元),创历史新高,同比增长逾 8 倍,销售额同比增 126.6%。业绩受 AI 企业大量采购存储芯片、芯片价格走高推动,连续第四个季度创新高。
TrendForce 集邦咨询最新研究显示,AI 服务器需求持续扩张,HBM 与常规 DRAM 竞逐有限的先进制程与晶圆产能,新一代产品良率与产出提升仍需时间,预估 2027 年存储器供应持续吃紧。供应商对 2027 年 HBM 涨价态度更明确,反映供应紧张、HBM4 高价占比提升及 HBM4e …
本期要闻包括:长鑫存储2026年二季度息税前利润率达82%,超过SK海力士与三星半导体,成为全球盈利水平最高的存储厂商;戴尔科技股价大涨近12%创历史新高,市值一夜增加约385亿美元,印证AI基础设施投资热潮。AI方面,OpenAI考虑放缓前沿AI开发并寻求与其他实验室协调,阿里云Token Pl…
佰维存储公告2026年前三季度营收217.17亿元,同比增长230.30%,归母净利润87.68亿元,同比增长28728.12%,扣非净利润由亏转盈。第三季度单季营收61.42亿元,归母净利润16.02亿元。业绩增长主要受益于AI算力爆发与存储行业进入高景气周期,产品与客户结构持续优化。
SK海力士第三季度营收达104.62万亿韩元,同比增长328%,营业利润83.33万亿韩元,均超市场预期,股价收涨10.89%。三星电子同步上涨9.01%,美光与闪迪美股盘前分别涨3.97%和4.91%。AI基础设施扩张带来的存储芯片短缺曾推动板块创下新高,近期回调后出现反弹迹象。
中信证券研报指出,全球存储芯片股价波动加剧,市场关注长鑫科技4F²技术进展对服务器DDR5市场格局的潜在影响。目前4F²技术仍处早期验证阶段,中短期影响较小,建议关注HDD、DRAM、NAND赛道公司。
韩国半导体产业协会将于 14 至 16 日在首尔 COEX 举办 SEDEX 2026,三星电子与 SK 海力士等 300 家企业参展。三星将展示面向云计算、边缘计算与物理 AI 的 HBM、3D 存储等产品,SK 海力士将发布第七代 HBM(HBM4E)与高带宽闪存 HBF。
自8月下旬以来全球主要芯片股反弹,但三星电子与SK海力士涨幅不足1%,明显跑输美光科技、台积电ADR、英伟达与铠侠。期间外资净卖出两家韩国公司股票合计22万亿韩元(约154亿美元),显示资金对韩国存储双雄的谨慎态度。
AMD首席执行官苏姿丰在台北对记者表示,受人工智能应用增长推动,未来数年半导体需求将维持在极高水平,芯片需求超过供给,存储芯片供应持续紧张。她强调美国头部AI企业间协作的重要性,并称美国超级智能工作组是向前迈出的重要一步。
韩国海关数据显示,9月经工作日调整出口额达1209亿美元,同比增长104.9%,创历史新高。其中芯片出口总额同比激增263%,达到创纪录的603亿美元,反映全球AI算力需求对存储与半导体出口的强劲拉动。
《华尔街日报》分析指出,存储芯片股的走势可作为判断 AI 热潮持续性的先行指标。文章将内存需求与 AI 数据中心投资周期联系起来,探讨当前繁荣是否存在过热风险。属于市场分析类报道,对投资判断有参考价值。
韩国股市7月遭遇猛烈抛售,年内最热门的人工智能交易头寸集中平仓,成为第三季度全球表现最差的股市。受存储芯片股抛售拖累,韩国综合股价指数三个月内下跌18.8%。
TrendForce报告显示,2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入服务器高性能产品,维持供不应求,一般型DRAM合约价预计季增10%~15%。NAND Flash市场呈现AI加速与消费需求低迷但连带涨价的双轨发展,整体合约价预计季增15%~20%。
美光科技财报发布前夕,D.A.戴维森分析师吉尔·卢里亚重申2000美元目标价,较最新收盘价高出约100%。他认为内存是AI大模型运行的关键,容量越大模型越好、推理越快、上下文窗口越长,而新增供给至少还需一年才能跟上需求。当前估值已在定价存储周期结束,但AI算力需求仍在增长。
知情人士称,SK海力士旗下NAND存储子公司Solidigm正考虑最早于明年在美国IPO,并与潜在投行顾问磋商。上市后估值最高或达1000亿美元。相关讨论仍在推进,时间与估值细节仍可能变动。
The Register 报道称,AI 热潮推高存储与芯片成本,可能导致每年约 2.3 亿部预算型手机从市场消失。该趋势将影响新兴市场用户的换机选择,并加剧数字鸿沟。
全南-光州特别自治市与SK海力士、三星电子磋商芯片项目落地事宜。SK海力士希望获得尽可能大的生产用地,三星则强调加快投资节奏。当地计划在826万平方米国家产业园中优先提供约208万平方米可立即开发土地,并拟于10月与SK海力士签署入驻协议。
国内存储SLT系统级测试设备厂商欧康诺将联合海光信息打造国产化内存与存储芯片测试平台,以海光CPU为核心,并引入头部存储厂商的DRAM底层测试技术。双方计划年底正式发布,目前进入最后联合调试阶段,预计10月底产品成熟并对外开放。
据报道,SK 海力士正与英特尔洽谈在美国建设存储芯片产能。SK 海力士回应称尚未敲定任何计划或安排。若落地,将影响 AI 内存供应链的地缘布局。
苹果已接受三星电子2027年一季度存储芯片报价,DRAM接近2.0美元/Gb、NAND接近0.33美元/Gb,较今年三季度上涨30%-40%。存储涨价将推高终端硬件成本,也反映AI算力需求对内存产能的持续挤压。
美光科技宣布将于当地时间 10 月 21 日举办技术网络研讨会,由总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 主讲,讨论 DRAM、HBM 及 NAND 领域创新。美光称下一代 AI 基础设施需要更高带宽、容量与数据存取效率,将介绍多代技术路线图与长期研究布局。
美股三大指数集体收涨,纳指涨1.19%盘中再创新高,周线三连涨。大型科技股多数上涨,英伟达盘中再创新高,谷歌、苹果涨超1%。存储股大跌,希捷、西部数据跌超10%;光通信股集体上涨。