技术
GaN（氮化镓）
氮化镓，一种宽禁带半导体材料，用于高效功率器件和射频器件，支撑AI硬件能源效率。
详细解释
GaN（氮化镓）具有高击穿电场、高电子迁移率等特性，适合制造高频、高温、高压器件。在AI领域，GaN用于数据中心电源、GPU供电和射频前端，能提升能源转换效率，降低散热需求。随着AI算力增长，对高效功率半导体的需求激增，GaN成为关键使能技术之一。
别名与相关写法
gan
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